忆阻器是一种具有记忆保持能力的电阻器，是一种新发现的电路元件，可用于非磁性非易失性存储器和传统计算的逻辑运算。此外，它模拟生物突触的短期和长期可塑性，使其成为非常规超快神经形态(脑启发)计算的理想组件。超薄低功耗忆阻器是取代当今硅基晶体管的有力候选者，在小型化、能源效率和成本效益方面，硅基晶体管几乎达到了性能极限。
在这个项目中，你将通过夹入超薄(2纳米)Ga来制造一个人工突触2O3.薄片，由新颖的触摸打印技术合成，在两层石墨烯之间，一张碳。突触行为将通过电传输测量进行测试。1/f噪声测量技术将用于测量信噪比，以及探究此类设备中记忆效应的内部机制。在该项目的课程中，您将接受范德华堆叠，液态金属触摸打印，洁净室纳米制造和电气传输测量技术的培训。
该项目将使您有机会与FLEET (ARC未来低能耗电子技术卓越中心)合作，并获得荣誉奖学金。
主管:Semonti Bhattacharyya博士而且Michael Fuhrer教授
如有任何查询，请联络semonti.bhattacharyya@monash.edu或michael.fuhrer@monash.edu。
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