在磁场中电阻的变化(即磁电阻)在许多材料中通常是相当小的，但当它相当大时，它可以有重要的技术应用。例如，磁性多层结构的“巨磁电阻”为硬盘和其他设备中使用的磁传感器提供了基础。然而，磁并不是产生大磁阻的唯一途径。材料的不均匀性或样品的几何形状也可以在非磁性系统[1]中产生大量的磁电阻。还证明，在高电场作用下的半导体中也可以实现类似的效果，其中电输运不再是欧姆[2]。这个项目的目的是确定在这种非线性输运体系中存在的不均匀电场是否足以产生大磁电阻，或者是否需要进一步的东西。
参考文献
[1]M. M. Parish, P. B. Littlewood，严重无序半导体中的非饱和磁电阻，《自然》第426卷，第6963号，2003 [２]M. P. Delmo等，空间电荷效应对硅正磁阻效应的影响，自然杂志第457卷，第7233期，2009主管:一个/教授。米拉教区
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